Viện Khoa học và Công nghệ Hàn Quốc (KAIST) có thể khởi kiện tập đoàn điện tử Samsung vì đã vi phạm bằng sáng chế về kiến trúc chip FinFET. Công nghệ chip FinFET, một trong những niềm tự hào của hãng điện tử Hàn Quốc được áp dụng trên những dòng chip xử lý mới mạnh mẽ nhất như Snapdragon 835 hay Exynos 8895 sẽ ra mắt trong thời gian tới.
Trang công nghệ techtime cho biết KAIST từng phát triển công nghệ 10nm FinFET mà Samsung sử dụng để sản xuất các dòng chip cao cấp của Qualcomm và Exynos mà không được sự cho phép. Đại diện của KAIST cho rằng: Sự sao chép này xảy ra khi Samsung mời Giáo sư Lee Jong Ho của Trường Đại học quốc gia Seoul tham gia nghiên cứu công nghệ FinFET. Điều đáng nói là Trường Đại học quốc gia Seoul từng hợp tác cùng KAIST trong việc phát triển FinFET.
Theo KAIST, Samsung đã rút ngắn thời gian nghiên cứu và phát triển công nghệ FinFET bằng cách dùng chính những kiến thức của Giáo sư Lee mà không mất nhiều chi phí. Người sở hữu bằng sáng chế gốc của công nghệ FinFET là Intel cũng lên tiếng ủng hộ KAIST. Có thể sau vụ kiện với Samsung, KAIST sẽ nhắm đến các nhà sản xuất chip khác như Qualcomm và TSMC.
Cùng lúc đó, theo trang PhoneArena, Samsung đã thuê luật sư, chuẩn bị cho những vụ kiện liên quan đến Note 7 nhằm đối phó với đơn tố cáo của 2.400 cá nhân do 5 người đứng ra kiện những vấn đề liên quan đến bỏng và hô hấp do Galaxy S7 phát nổ. Chiếc điện thoại này đã bị thu hồi và ngừng sản xuất vĩnh viễn.
Các luật sư của bên nguyên đơn đang cố gắng đòi bồi thường cho mỗi nguyên đơn khoảng 500,000 won tương đương 426 USD trong khi Samsung cho biết họ đã đền bù đầy đủ cho các khách hàng sử dụng Note 7. Số tiền mà những khách hàng bị thiệt hại này yêu cầu là trong khả năng có thể.
Hơn nữa, họ đã thu hồi tất cả số sản phẩm với chi phí tốn đến 10 nghìn tỷ won nhằm giảm thiểu các thiết hại mà khách hàng có thể phải chịu. Những khoản tiền đền bù cho đến nay bao gồm một phiếu mua hàng giá 86 USD và cam kết giảm một nửa giá thành cho những khách hàng mua Galaxy S8, ước tính khoảng 341 – 424 USD.
